Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

SISF02DN-T1-GE3

ATHUGASEMD: Vishay / Siliconix SISF02DN-T1-GE3 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	TrenchFET® Gen IV
Pakki	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Hlutastaða	Active
FET gerð	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET lögun	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	30.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2.3V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 10V
Kraftur - Hámark	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Pakki / mál	PowerPAK® 1212-8SCD
Tækjapakki birgja	PowerPAK® 1212-8SCD

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 45

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.