Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

DF11MR12W1M1PB11BPSA1

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) DF11MR12W1M1PB11BPSA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	EasyPACK™
Pakki	Tray
Hlutastaða	Active
FET gerð	2 N-Channel (Dual)
FET lögun	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs (þ) (Max) @ kt	5.55V @ 20mA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	124nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3680pF @ 800V
Kraftur - Hámark	20mW
Vinnuhitastig	-40°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Chassis Mount
Pakki / mál	Module
Tækjapakki birgja	AG-EASY1B-2

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 30

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.