Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

FF6MR12KM1PHOSA1

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) FF6MR12KM1PHOSA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	CoolSiC™
Pakki	Tray
Hlutastaða	Active
FET gerð	2 N-Channel (Half Bridge)
FET lögun	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs (þ) (Max) @ kt	5.15V @ 80mA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14700pF @ 800V
Kraftur - Hámark	-
Vinnuhitastig	-40°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Chassis Mount
Pakki / mál	Module
Tækjapakki birgja	AG-62MM

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	FF6MR12KM1PHOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF6MR12KM1BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF6MR12W2M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.