Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

IPB47N10SL26ATMA1

ATHUGASEMD: Rochester Electronics IPB47N10SL26ATMA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	SIPMOS®
Pakki	Bulk
Hlutastaða	Active
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	47A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 33A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2V @ 2mA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 25 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	175W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	PG-TO263-3
Pakki / mál	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 657

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	IPB45N06S409ATMA2 Rochester Electronics
	IPB45N04S4L08ATMA1 Rochester Electronics
	IPB407N30NATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB45P03P4L11ATMA1 Rochester Electronics
	IPB47N10SL-26 Rochester Electronics
	IPB47N10S33ATMA1 Rochester Electronics
	IPB45N06S4L08ATMA1 Rochester Electronics
	IPB45N06S3L-13 IR (Infineon Technologies)
	IPB47N10SL26ATMA1 Rochester Electronics
	IPB45N06S3-16 Rochester Electronics

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.