Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

BSB024N03LX G

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) BSB024N03LX G er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Tape & Reel (TR)
Hlutastaða	Obsolete
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	27A (Ta), 145A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2.2V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4900 pF @ 15 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vinnuhitastig	-40°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pakki / mál	3-WDSON

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	BSB012NE2LXIXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB044N08NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB056N10NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB028N06NN3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB008NE2LXXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB015N04NX3GXUMA1 Rochester Electronics
	BSB019N03LX G IR (Infineon Technologies)
	BSB012NE2LX IR (Infineon Technologies)
	BSB014N04LX3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSB024N03LX G IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.