Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

IPN80R4K5P7ATMA1

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) IPN80R4K5P7ATMA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	CoolMOS™ P7
Pakki	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Hlutastaða	Active
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	1.5A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	3.5V @ 20µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	4 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80 pF @ 500 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	6W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	PG-SOT223
Pakki / mál	TO-261-3

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 1480

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	IPN80R2K4P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R1K2P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R600P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R3K3P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R4K5P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R2K0P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R750P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R1K4P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R900P7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPN80R2K0P7 Rochester Electronics

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.