Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

GA10JT12-263

ATHUGASEMD: GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	-
Pakki	Tube
Hlutastaða	Active
FET gerð	-
Tækni	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Vgs (þ) (Max) @ kt	-
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	170W (Tc)
Vinnuhitastig	175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	-
Pakki / mál	-

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 170

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.