Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

SPB08P06PGATMA1

ATHUGASEMD: Rochester Electronics SPB08P06PGATMA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	SIPMOS®
Pakki	Bulk
Hlutastaða	Active
FET gerð	P-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	4V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 25 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	42W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	D²PAK (TO-263AB)
Pakki / mál	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	SPB04N50C3ATMA1 Rochester Electronics
	SPB08N03L Rochester Electronics
	SPB02N60S5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB03N60S5 Rochester Electronics
	SPB03N60S5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB03N60C3 Rochester Electronics
	SPB07N60C3ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	SPB04N60S5ATMA1 Rochester Electronics
	SPB08P06PGATMA1 Rochester Electronics
	SPB07N60S5ATMA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.