Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

TK9J90E,S1E

Hlutanúmer framleiðanda:	TK9J90E,S1E
Framleiðandi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Hluti af lýsingu:	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Gagnablöð:	TK9J90E,S1E Gagnablöð
Blýlaus staða / RoHS staða:	Blýlaust / RoHS samhæft
Lagerástand:	Á lager
Skip frá:	Hong Kong
Sendingarleið:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ATHUGASEMD: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK9J90E,S1E er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	-
Pakki	Tube
Hlutastaða	Active
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	4V @ 900µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	250W (Tc)
Vinnuhitastig	150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Through Hole
Tækjapakki birgja	TO-3P(N)
Pakki / mál	TO-3P-3, SC-65-3

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 554

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	TK9J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.