Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

SPI08N80C3XKSA1

ATHUGASEMD: Rochester Electronics SPI08N80C3XKSA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	CoolMOS™
Pakki	Bulk
Hlutastaða	Obsolete
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	3.9V @ 470µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1.1 pF @ 100 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	104W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Through Hole
Tækjapakki birgja	PG-TO262-3-1
Pakki / mál	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 21500

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	SPI07N60C3HKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPI08N50C3HKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPI02N65C3 Rochester Electronics
	SPI07N65C3XKSA1 Rochester Electronics
	SPI08N80C3XKSA1 Rochester Electronics
	SPI08N50C3XKSA1 Rochester Electronics
	SPI08N50C3XK Rochester Electronics
	SPI08N50C3 Rochester Electronics
	SPI07N60C3 Rochester Electronics
	SPI07N60S5 Rochester Electronics

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.