Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

BSM180C12P2E202

ATHUGASEMD: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	-
Pakki	Tray
Hlutastaða	Active
FET gerð	N-Channel
Tækni	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	204A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (þ) (Max) @ kt	4V @ 35.2mA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	-
Vgs (Max)	+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20000 pF @ 10 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	1360W (Tc)
Vinnuhitastig	175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Chassis Mount
Tækjapakki birgja	Module
Pakki / mál	Module

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 4

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.