Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

BSZ105N04NSGATMA1

ATHUGASEMD: Rochester Electronics BSZ105N04NSGATMA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Bulk
Hlutastaða	Active
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 40A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	4V @ 14µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1.3 pF @ 20 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	PG-TSDSON-8
Pakki / mál	8-PowerTDFN

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	BSZ130N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ120P03NS3EGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ130N03MSG Rochester Electronics
	BSZ110N06NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ16DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ105N04NSGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ160N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ12DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ180P03NS3EGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.