Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

FDFM2N111

ATHUGASEMD: Rochester Electronics FDFM2N111 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	PowerTrench®
Pakki	Bulk
Hlutastaða	Active
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (þ) (Max) @ kt	1.5V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	273 pF @ 10 V
FET lögun	Schottky Diode (Isolated)
Rafdreifing (hámark)	1.7W (Ta)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	MicroFET 3x3mm
Pakki / mál	6-WDFN Exposed Pad

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 22145

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	FDFME2P823ZT Rochester Electronics
	FDFMA2N028Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFM2N111 Rochester Electronics
	FDFMA3P029Z Rochester Electronics
	FDFMJ2P023Z Rochester Electronics
	FDFMA2P859T Rochester Electronics
	FDFME3N311ZT Rochester Electronics
	FDFMA2P029Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P029Z-F106 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P853 Rochester Electronics

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.