Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

IPI100N06S3L04XK

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) IPI100N06S3L04XK er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Tube
Hlutastaða	Obsolete
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2.2V @ 150µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	362 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17270 pF @ 25 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	214W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Through Hole
Tækjapakki birgja	PG-TO262-3
Pakki / mál	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 113

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	IPI139N08N3GHKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI120N06S403AKSA1 Rochester Electronics
	IPI110N20N3GAKSA1 Rochester Electronics
	IPI100N06S3L04XK IR (Infineon Technologies)
	IPI16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPI100N04S4H2AKSA1 Rochester Electronics
	IPI120N06S4H1AKSA2 IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-04 IR (Infineon Technologies)
	IPI11N03LA IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-03 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.