Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

BSC052N03S G

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) BSC052N03S G er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Tape & Reel (TR)
Hlutastaða	Obsolete
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	18A (Ta), 80A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2V @ 40µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2820 pF @ 15 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	2.8W (Ta), 54W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	PG-TDSON-8-6
Pakki / mál	8-PowerTDFN

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	BSC029N025SG Rochester Electronics
	BSC0503NSIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC032N04LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC026N08NS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC050N03LSGXT Rochester Electronics
	BSC0802LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC067N06LS3 Rochester Electronics
	BSC050N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC016N03MSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC019N02KSGAUMA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.