Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

SPP08P06PHXKSA1

ATHUGASEMD: Rochester Electronics SPP08P06PHXKSA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	SIPMOS®
Pakki	Bulk
Hlutastaða	Active
FET gerð	P-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	8.8A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	4V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 25 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	42W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Through Hole
Tækjapakki birgja	PG-TO220-3
Pakki / mál	TO-220-3

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	SPP07N65C3XKSA1 Rochester Electronics
	SPP08P06PXK Rochester Electronics
	SPP07N65C3IN Rochester Electronics
	SPP02N80C3XKSA1 Rochester Electronics
	SPP08P06PHXKSA1 Rochester Electronics
	SPP04N80C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	SPP02N60C3IN Rochester Electronics
	SPP03N60S5 Rochester Electronics
	SPP02N60C3 Rochester Electronics
	SPP08N80C3XKSA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.