Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

IPP120P04P4L03AKSA2

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) IPP120P04P4L03AKSA2 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS®-P2
Pakki	Tube
Hlutastaða	Active
FET gerð	P-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2.2V @ 340µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+5V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 25 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	136W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Through Hole
Tækjapakki birgja	PG-TO220-3-1
Pakki / mál	TO-220-3

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 139

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	IPP100N06S2L05AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP114N03LG Rochester Electronics
	IPP147N12N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP120N04S401AKSA1 Rochester Electronics
	IPP120N04S402AKSA1 Rochester Electronics
	IPP110N20N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP139N08N3G Rochester Electronics
	IPP12CN10LGXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP100N04S4H2AKSA1 Rochester Electronics
	IPP120P04P4L03AKSA2 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.