Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

BSC105N10LSFGATMA1

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) BSC105N10LSFGATMA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Hlutastaða	Not For New Designs
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	11.4A (Ta), 90A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2.4V @ 110µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 50 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	156W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 150°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	PG-TDSON-8-1
Pakki / mál	8-PowerTDFN

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 3182

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	BSC100N03MSG Rochester Electronics
	BSC146N10LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC196N10NSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFG Rochester Electronics
	BSC120N03LSG Rochester Electronics
	BSC100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC105N10LSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC152N10NSFGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC123N10LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSC120N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.