Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

IPD105N04LGBTMA1

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) IPD105N04LGBTMA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Tape & Reel (TR)
Hlutastaða	Obsolete
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	2V @ 14µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 20 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	42W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	PG-TO252-3
Pakki / mál	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	IPD105N04LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD12CN10NG Rochester Electronics
	IPD100N04S402ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD180N10N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPD16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPD15N06S2L64ATMA2 IR (Infineon Technologies)
	IPD135N03LG Rochester Electronics
	IPD122N10N3GBTMA1 Rochester Electronics
	IPD127N06LGBTMA1 IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.