Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

IPP26CNE8N G

ATHUGASEMD: IR (Infineon Technologies) IPP26CNE8N G er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Tube
Hlutastaða	Obsolete
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	85 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 35A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	4V @ 39µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2070 pF @ 40 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	71W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Through Hole
Tækjapakki birgja	PG-TO220-3
Pakki / mál	TO-220-3

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: Sending samdægurs

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	IPP26CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPP220N25NFD Rochester Electronics
	IPP25N06S3L-22 Rochester Electronics
	IPP200N15N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP200N25N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP22N03S4L15AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP230N06L3 G IR (Infineon Technologies)
	IPP230N06L3GXKSA1 Rochester Electronics
	IPP220N25NFDAKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPP260N06N3G Rochester Electronics

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.