Microsemi / 2N6849
Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd
2N6849
| Hlutanúmer framleiðanda: | 2N6849 |
| Framleiðandi: | Microsemi |
| Hluti af lýsingu: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| Gagnablöð: | 2N6849 Gagnablöð |
| Blýlaus staða / RoHS staða: | Blýlaust / RoHS samhæft |
| Lagerástand: | Á lager |
| Skip frá: | Hong Kong |
| Sendingarleið: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ATHUGASEMD
- Microsemi 2N6849 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.
Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.
Forskrift
| Gerð | Lýsing |
|---|---|
| Röð | - |
| Pakki | Bulk |
| Hlutastaða | Obsolete |
| FET gerð | P-Channel |
| Tækni | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (þ) (Max) @ kt | 4V @ 250µA |
| Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET lögun | - |
| Rafdreifing (hámark) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Vinnuhitastig | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Uppsetning gerð | Through Hole |
| Tækjapakki birgja | TO-39 |
| Pakki / mál | TO-205AF Metal Can |
Lagerstaða: Sending samdægurs
Lágmark: 1
| Magn | Einingaverð | Ext. Verð |
|---|---|---|
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni |
||
Fraktútreikningur
US $40 af FedEx.
Komið eftir 3-5 daga
Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega
Bætt í körfu!
Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.