Myndin er til viðmiðunar, vinsamlegast hafðu samband við okkur til að fá raunverulega mynd

IPB050N06NGATMA1

ATHUGASEMD: Rochester Electronics IPB050N06NGATMA1 er fáanlegt á chipnets.com. Við seljum aðeins nýjan og upprunalegan hluta og bjóðum upp á 1 árs ábyrgðartíma. Ef þú vilt vita meira um vörurnar eða sækja um betra verð, vinsamlegast hafðu samband við okkur smelltu á netspjallið eða sendu tilboð til okkar.

Öllum Eelctronics íhlutunum verður pakkað inn mjög örugglega með ESD antistatic vörn.

package

Forskrift

Gerð	Lýsing
Röð	OptiMOS™
Pakki	Bulk
Hlutastaða	Obsolete
FET gerð	N-Channel
Tækni	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drifspenna (hámarks Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (þ) (Max) @ kt	4V @ 270µA
Hliðargjald (Qg) (hámark) @ Vgs	167 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6.1 pF @ 30 V
FET lögun	-
Rafdreifing (hámark)	300W (Tc)
Vinnuhitastig	-55°C ~ 175°C (TJ)
Uppsetning gerð	Surface Mount
Tækjapakki birgja	D²PAK (TO-263AB)
Pakki / mál	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

KAUPAMÁTT

Lagerstaða: 18615

Lágmark: 1

Magn	Einingaverð	Ext. Verð
Verð er ekki tiltækt, vinsamlegast sendið beiðni

Fraktútreikningur

US $40 af FedEx.

Komið eftir 3-5 daga

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Ókeypis sendingarkostnaður á fyrstu 0,5 kg fyrir pantanir yfir 150 $, yfirvigt verður gjaldfært sérstaklega

Vinsælar módel

	IPB042N10N3GE8187ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB050N06NGATMA1 Rochester Electronics
	IPB03N03LB G IR (Infineon Technologies)
	IPB09N03LA G IR (Infineon Technologies)
	IPB015N08N5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB011N04NGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB067N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB03N03LAG Rochester Electronics
	IPB072N15N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB09N03LAT IR (Infineon Technologies)

Þessum hlut hefur verið bætt við körfuna þína.